Название бренда Reletech
Происхождение Китай
Пластина радиатора Нет
Тип шины PCIe 4.0x4
Тип флеш-памяти NAND TLC
Транспортный протокол NVME
Тип интерфейса M.2 2280
Контроллер PHISON 5016-E18
Цветная (RGB) Нет
Макс последовательного чтения 7000
Макс последовательного чтения 6850
Highest order reading speed 7000MB/s
Highest order write speed 1TB 5500mb/s 2TB 6850mb/s
Controller PHISON 5016-E18
warranty period 5 Years
Product length, width, height 80mm*22mm*2.3mm
Independent cache 1 Hynix DDR4 1024MB for 1TB
v0.37a
OS: 6.2 build 9200
Drive : 5(NVME)
Driver : W10(5:3)
Model : Reletech-P400 EVO M.2 2280 1000G
Fw : EIFM31.3
Size : 953869 MB [1000.2 GB]
LBA Size: 512
CEL not supported
Read_System_Info_5008 error: -1
Firmware lock supported [02 01] [P001] [0100]
Drive unlocked [02 03]
F/W : EIFM31.3 00
P/N : 5P1-211118001
Bank00: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank01: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank02: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank03: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank04: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank05: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank06: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank07: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank08: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank09: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank10: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank11: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank12: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank13: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank14: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Bank15: 0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
Controller : PS5018-E18
CPU Clk : 1000
Flash CE : 16
Flash Channel : 8
Interleave : 2
Flash CE Mask : [++++++++ ++++++++ -------- --------]
FlashR Clk,MT : 1200
FlashW Clk,MT : 1200
Die per CE : 1
Block per CE : 2208
Page per Block: 2112
Bit Per Cell : 3(TLC)
DRAM Size,MB : 1024
DRAM Clock,MHz: 1600
DRAM Type : DDR4
PMIC Type : PS6102/PS6106
PE Cycle Limit: 1700
ONFI : MICRON MT29F512G08EBLEE3W [34A2]
Page size : 18352 (16384+1968)
Page/Block: 2112
Block/LUN : 2224
LUN/Chip : 1
Bit/Cell : 3 (TLC)
Endurance : 3000
PlanAdrBit: 2 (4 plane)
Defects Early Read Prog Erase
Bank00: 45 0 0 0
Bank01: 31 0 0 0
Bank02: 34 0 0 0
Bank03: 46 0 0 0
Bank04: 40 0 0 0
Bank05: 48 0 0 0
Bank06: 81 0 0 0
Bank07: 36 0 0 0
Bank08: 41 0 0 0
Bank09: 33 0 0 0
Bank10: 35 0 0 0
Bank11: 44 0 0 0
Bank12: 44 0 0 0
Bank13: 35 0 0 0
Bank14: 44 0 0 0
Bank15: 52 0 0 0
Total : 689 0 0 0
Defects Early Read Prog Erase
Ce00Pl0: 10 0 0 0
Ce00Pl1: 12 0 0 0
Ce00Pl2: 10 0 0 0
Ce00Pl3: 13 0 0 0
Ce01Pl0: 7 0 0 0
Ce01Pl1: 10 0 0 0
Ce01Pl2: 8 0 0 0
Ce01Pl3: 6 0 0 0
Ce02Pl0: 8 0 0 0
Ce02Pl1: 10 0 0 0
Ce02Pl2: 9 0 0 0
Ce02Pl3: 7 0 0 0
Ce03Pl0: 9 0 0 0
Ce03Pl1: 16 0 0 0
Ce03Pl2: 10 0 0 0
Ce03Pl3: 11 0 0 0
Ce04Pl0: 12 0 0 0
Ce04Pl1: 8 0 0 0
Ce04Pl2: 13 0 0 0
Ce04Pl3: 7 0 0 0
Ce05Pl0: 15 0 0 0
Ce05Pl1: 12 0 0 0
Ce05Pl2: 9 0 0 0
Ce05Pl3: 12 0 0 0
Ce06Pl0: 32 0 0 0
Ce06Pl1: 16 0 0 0
Ce06Pl2: 19 0 0 0
Ce06Pl3: 14 0 0 0
Ce07Pl0: 11 0 0 0
Ce07Pl1: 10 0 0 0
Ce07Pl2: 6 0 0 0
Ce07Pl3: 9 0 0 0
Ce08Pl0: 7 0 0 0
Ce08Pl1: 11 0 0 0
Ce08Pl2: 7 0 0 0
Ce08Pl3: 16 0 0 0
Ce09Pl0: 8 0 0 0
Ce09Pl1: 9 0 0 0
Ce09Pl2: 7 0 0 0
Ce09Pl3: 9 0 0 0
Ce10Pl0: 7 0 0 0
Ce10Pl1: 10 0 0 0
Ce10Pl2: 8 0 0 0
Ce10Pl3: 10 0 0 0
Ce11Pl0: 11 0 0 0
Ce11Pl1: 10 0 0 0
Ce11Pl2: 14 0 0 0
Ce11Pl3: 9 0 0 0
Ce12Pl0: 9 0 0 0
Ce12Pl1: 11 0 0 0
Ce12Pl2: 10 0 0 0
Ce12Pl3: 14 0 0 0
Ce13Pl0: 11 0 0 0
Ce13Pl1: 7 0 0 0
Ce13Pl2: 8 0 0 0
Ce13Pl3: 9 0 0 0
Ce14Pl0: 17 0 0 0
Ce14Pl1: 8 0 0 0
Ce14Pl2: 10 0 0 0
Ce14Pl3: 9 0 0 0
Ce15Pl0: 9 0 0 0
Ce15Pl1: 9 0 0 0
Ce15Pl2: 18 0 0 0
Ce15Pl3: 16 0 0 0
Total : 689 0 0 0
0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
v0.161
ONFI : MICRON MT29F512G08EBLEE3W [34A2]
JEDEC MID : 0x2C
ONFI ver : 0x800 ( 4.2)
Features supported: 0xf9d8
multi-plane program and erase operations
odd to even page Copyback
multi-plane read operations
extended parameter page
program page register clear enhancement
Volume addressing
external Vpp
NV-DDR3
ZQ calibration
Package Electrical Specification
Optional commands supported: 0x3fff
Page Cache Program command
Read Cache commands
Get Features and Set Features
Read Status Enhanced
Copyback
Read Unique ID
Change Read Column Enhanced
Change Row Address
Small Data Move
Reset LUN
Volume Select
ODT Configure
LUN Get and LUN Set Features
ZQ calibration (Long and Short)
ONFI-JEDEC JTG primary advanced command support: 0x000f
supports Random Data Out
supports Multi-plane Page Program
supports Multi-plane Copyback Program
supports Multi-plane Block Erase
Training commands supported: 0x000d
supports Explicit DCC Training
supports Read DQ training
supports Write TX DQ training
EPP Len : 48
PP Num : 60
Page size : 18352 (16384+1968)
Page/Block: 2112
Block/LUN : 2224
LUN/Chip : 1
Row+ColAdr: 4+2
Bit/Cell : 3 (TLC)
MaxBB/LUN : 120
Endurance : 3000
Valid Beg : 1
ValidEndur: 0
ProgPage : 1
BitCorrECC: See EPP
PlanAdrBit: 2 (4 plane)
Multi-plane operation attributes: 0x1e
no block address restrictions
program cache supported
Address restrictions for cache operations
read cache supported
EZ NAND support: 0x00
NV-DDR3 : 0x1fff (upto 1600 MT)
warmup i/o: 4/4
Max tProg : 2259
Max tBers : 20000
Max tR : 67
Min tCCS : 400
Min tRmp : 67
Min tAdl : 150
Max I/O C : 2
Typ CLK C : 0.0
Typ I/O C : 1.1
Typ Inp C : 4.0
Max Inp C : 5
Vendor Block:
VendorRev : 1
ParPageRev: 1
ReadRetry : 0
CRC16 : 0x34A2 - Ok
1 Composite Temperature : 60
15 Warning Composite Temperature Time : 0
16 Critical Composite Temperature Time : 0
25 Thermal Management Temp 1 Transition Count : 0
26 Thermal Management Temp 2 Transition Count : 0
27 Total Time For Thermal Management Temp 1 : 0
28 Total Time For Thermal Management Temp 2 : 0
-------- Temperature --------
Max Temp All Time : 101
Min Temp All Time : 33
Max Temp Last Power : 101
Min Temp Last Power : 38
Temp Linkup : 38
Temperature : 60
Internal Temperature: 93
Flash temp. per die : 59 58 59 59 59 56 59 59 57 57 59 59 59 56 59 58
-------- VENDOR SMART (Default) -------- (possible incorrect)
highest_temperature : 64
chip_internal_temperature : 93
thermal_throttling : 0
thermal_throttling_time : 0
т.е. троттлинга нет, температура контроллера достигала 101C, флеша 64C.-------- NVME SMART --------
1 Composite Temperature : 70
15 Warning Composite Temperature Time : 0
16 Critical Composite Temperature Time : 0
25 Thermal Management Temp 1 Transition Count : 0
26 Thermal Management Temp 2 Transition Count : 0
27 Total Time For Thermal Management Temp 1 : 16
28 Total Time For Thermal Management Temp 2 : 0
-------- Temperature --------
Max Temp All Time : 115
Min Temp All Time : 33
Max Temp Last Power : 104
Min Temp Last Power : 51
Temp Linkup : 51
Temperature : 70
Internal Temperature: 104
Flash temp. per die : 64 67 66 73 65 65 68 72 61 66 67 75 64 65 68 72
-------- VENDOR SMART (Default) -------- (possible incorrect)
highest_temperature : 73
chip_internal_temperature : 104
thermal_throttling : 1
thermal_throttling_time : 2
0x2c,0xc3,0x8,0x32,0xea,0x30,0x0,0x0 - Micron 176L(B47R) TLC 512Gb/CE 512Gb/die
v0.161
ONFI : MICRON MT29F512G08EBLEE3W [BC82]
JEDEC MID : 0x2C
ONFI ver : 0x800 ( 4.2)
Features supported: 0xe9d8
multi-plane program and erase operations
odd to even page Copyback
multi-plane read operations
extended parameter page
program page register clear enhancement
Volume addressing
NV-DDR3
ZQ calibration
Package Electrical Specification
Optional commands supported: 0x3fff
Page Cache Program command
Read Cache commands
Get Features and Set Features
Read Status Enhanced
Copyback
Read Unique ID
Change Read Column Enhanced
Change Row Address
Small Data Move
Reset LUN
Volume Select
ODT Configure
LUN Get and LUN Set Features
ZQ calibration (Long and Short)
ONFI-JEDEC JTG primary advanced command support: 0x000f
supports Random Data Out
supports Multi-plane Page Program
supports Multi-plane Copyback Program
supports Multi-plane Block Erase
Training commands supported: 0x000d
supports Explicit DCC Training
supports Read DQ training
supports Write TX DQ training
EPP Len : 48
PP Num : 60
Page size : 18352 (16384+1968)
Page/Block: 2112
Block/LUN : 2224
LUN/Chip : 1
Row+ColAdr: 4+2
Bit/Cell : 3 (TLC)
MaxBB/LUN : 216
>>Endurance : 700
Valid Beg : 1
ValidEndur: 0
ProgPage : 1
BitCorrECC: See EPP
PlanAdrBit: 2 (4 plane)
Multi-plane operation attributes: 0x1e
no block address restrictions
program cache supported
Address restrictions for cache operations
read cache supported
EZ NAND support: 0x00
>>NV-DDR3 : 0x3ff (upto 1200 MT)
warmup i/o: 4/4
>>Max tProg : 3375
>>Max tBers : 30000
Max tR : 67
Min tCCS : 400
Min tRmp : 67
Min tAdl : 150
Max I/O C : 2
Typ CLK C : 0.0
Typ I/O C : 1.1
Typ Inp C : 4.0
Max Inp C : 5
Vendor Block:
VendorRev : 1
ParPageRev: 1
ReadRetry : 0
CRC16 : 0xBC82 - Ok
+34 |
2362
130
|
p.s. первая буква тут соответствует производителю кристаллов:
I — микрон
N — интел
D — сандиск
T — тошиба
C — ymtc
H — хиникс
K — микрон/ufs
Но если поискать находится и даже дешевле)
Evo это для тех кто замечает разницу между 7000 и 3000 Мб в сек)
Не только на графике.
Там и не EVO уже заканчиваются
и smartctl вы с какими параметрами запускали?
но частенько там оказывается пусто, особенно у тошибы/сандиска.
такой отчет это -x
в 2ТБ модель они случайно не QLC закатывают, а то судя по отзывам на разные китайские SSD с тао, часто практикуется такое, что на одну и ту же модель с небольшоё ёмкостью ставят TLC чипы, а когда ёмкость большая то уже фигачат QLC (типо и не так медленно будет, и глядишь сдюжит подольше, и себестоимость будет ниже).
новости местного рынка — digma и cbr %)
e18 с qlc пока не встречался, вероятно в этом нет смысла, e16 еще не кончился.
пока встречались: micron b27b, micron b47r двух сортов, bics5 двух видов (2plane/4plane).
Сейчас с ибэй не так просто притащить.
Поскольку в качестве системного диска мне не повезло купить Kingston A2000 на 250, решено было менять, и выбор пал на Reletech P400.
Покурил отзывы и описание и понял, что надо брать версию на 500 гигабайт — велика вероятность получить версию без радиатора, которая идёт в простой синей коробке, но, в отличие от белой, обладает односторонним дизайном, имеет контроллер Е12 и выпущена не в китае, а на тайване. Ну и память YMTC TLC отдельным плюсом.
Именно такой и получил.
По скорости линейной записи в TLC особо разливаться не буду, она такая же, как у А2000 на 500, который у меня стоит вторым SSD (и в 3 раза выше, чем у А2000 на 250, всё же его память микрон на 64 уровня так себе)
Ну а снятый А2000 на 250 ушёл в USB бокс
P.S. Разумеется, при покупке версии на терабайт или два велика вероятность получить версию китайской сборки с SM2263 и QLC памятью в белой коробке, радиатор в комплекте — очень слабое утешение.
P.P.S. С размером производитедь слегка промахнулся, 512 GB — это 476,84 GiB, а у накопителя 476,94 GiB :)
Reletech M.2 P400 EVO 2ТБ: Innogrit IG5236CAA; 128-слойная, YMTC, TLC 3D NAND (NTEF04TY3EL1G9); DRAM-кэш 1024 МБ DDR4 SK Hynix (H5AN8G6NCJ).
Короче, Reletech скатился и есть все шансы взять «третий сорт не брак», только дороже, чем у других.
Обычная китайская пирамида — сначала раскручиваем марку с небольшими прибылями, когда пойдут продажи — сливаем, ставя самые дешёвые чипы.
Из описания убрали конкретные модели памяти/контроллера, дабы покупатель спор не выиграл.
Покупай лаовей сильно надежно и хороший китайский качество.
ИМХО Несмотря на отличные P400 и P600, купленные у них ранее, больше я Reletech не покупатель. История повторяется, в 2015-2016 KingDian тоже выпускал отличные SSD с указанием контролеров/памяти(купил 6 штук и все до сих пор работают отлично), а сейчас это дно-производитель. Ищем следующего относительно честного китайца :)
Только зарегистрированные и авторизованные пользователи могут оставлять комментарии.