RSS блога
Подписка
Обзор NVMe SSD Fanxiang S770, с ёмкостью 1ТБ
- Цена: 5536р
- Перейти в магазин
Всем привет. Сегодня я расскажу о быстром NVMe SSD Fanxiang S770, с ёмкостью 1ТБ. Модель S770 примечательна тем, что это PCI-E Gen 4 SSD c DRAM буфером и заводским радиатором из алюминия, и на неё я ещё не делал обзор (хотя модель не новая, но судя по всему с апдейтом по Flash памяти).
К тому же, на этот SSD сейчас очень интересная цена, в рамках распродажи. Рассмотрим возможности продукта более подробно.
Спецификации SSD
Воспользуюсь слайдом со страницы товара, что бы продемонстриовать заявленные параметры SSD.
Как видим, для модели с ёмкостью 1ТБ заявлена максимальная скорость чтения 7400МБ/c, а так же максимальная скорость записи 5400МБ/c, и это приличные значения. Объём DRAM буфера составляет 1ГБ.
Про допустимый объём перезаписи данные не указали, но условно, можно считать его в районе 600ТБ, зная что здесь используется неплохая TLC память от Hynix (но это я уже забегаю вперёд).
Самые внимательные наверное заметили некоторое несоответствие в конце слайда показанного выше. Если нет, то могу сказать что указанный там процессор не дружит с PCI-E Gen4, а значит SSD не смог бы развить такие высокие скорости, работая в паре с ним… Ну и в названии памяти немного промахнулись с буквой.
Распаковка
SSD поставляется в фирменной коробке.
Внутри коробки находится сам SSD, винт для фиксации SSD в МП, отвёртка, и инструкция по установке и эксплуатации.
SSD выглядит так:
Радиатор уже установлен на SSD. Единственное, это явно не самый эффективный вариант, ввиду слабого оребрения, но и при таком раскладе он явно лучше чем «радиатор-наклейка».
На противоположной стороне радиатора присутствует наклейка с информацией о продукте.
Тестирование
Тестирование я буду проводить на компьютере с материнской платой MZI Z590-A PRO и процессором i5-11400F (DDR4 3600 8*2ГБ), в «процессорном» слоту М.2.
Пользователю доступен объём 931.5ГБ.
Программа CDI выдаёт следующие данные из SMART накопителя:
Теперь обратимся к программе от Вадима Очкина (vlo), для просмотра данных о начинке SSD.
SSD построен на базе весьма производительного, 8 канального контроллера Innogrit IG5236 (RainierPC), работающего в паре с достаточно интересной в плане скорости, 176 слойной Flash памятью от Hynix (TLC), которая представлена здесь 16 банками по 512Гбит каждый. Ранее, данная модель SSD судя по всему выпускалась с памятью от YMTC.
Контроллер присутствует на рынке уже достаточно продолжительное время, но не смотря на это, он по сей день остаётся интересным решением в плане производительности. На данный момент это топовый продукт в линейке производителя, если говорить о клиентских решениях.
176 слойная память от Hynix мне попадалась и ранее, но то были SSD без выделенного DRAM буфера, и при их тестировании память показывала себя как отличное решение, особенно в плане скорости записи.
Объём DRAM буфера в программе не определяется, но в данном случае, под него используется DDR4 память, объёмом 1ГБ.
Теперь посмотрим на что способен SSD в тесте скорости записи, используя программу AIDA64:
Как видно со скриншота, размер эмулируемого SLC кэша составляет 35% (326ГБ) от объёма SSD. Пока SLC кэш не заполнен, скорость записи составляет ~5700МБ/c. После исчерпания SLC кэша, небольшой отрезок записи идёт на скорости ~2100МБ/c, после чего происходит окончательная корректировка скорости, до ~1200МБ/c, что весьма неплохо.
График при перезаписи (запись на неочищенный SSD), выглядит следующим образом:
Здесь тоже видим очень достойную скорость, составляющую примерно 2300МБ/c. В начале теста небольшая часть данных записалась в SLC режиме, видимо задействовав ранее не записанный кусок из резервной области.
Скорость линейного чтения в AIDA 64:
Как видно по графику, в начале теста скорость держится на уровне 4500-4600МБ/c, и практически сразу увеличивается до 5200МБ/c. В данном случае, это не проблема конкретного SSD, а особенность работы контроллера IG5236. Средняя скорость получилась равная ~5000МБ/c.
Я тестировал брата близнеца Fanxiang S770, а именно Team-Group T-Force G70 PRO, который построен на том же самом контроллере, и на той же самой Flash памяти, и поведение там точно такое же.
В целом, к скорости линейного чтения Fanxiang S770 нет вопросов, значение весьма высокое.
В конце операции чтения, нагрев по SMART был незначителен.
По тепловизору так же показывает незначительный нагрев:
В программе CDM получились следующие результаты:
При размере блока 4КБ, в многопоточном тесте случайного чтения с очередью, SSD набирает более 1000000IOPS, выходя на максимум возможностей контроллера.
При том же размере блок 4КБ, в тесте случайного чтения в один поток, и уже без очереди, SSD набирает около 14000IOPS.
С ростом размера тестовой области, скорости по сути не изменяются, благодаря наличию выделенного DRAM буфера, а так же достаточному объёму эмулируемого SLC кэша.
В ATTO Disk Bemchmark, с глубиной очереди 1 и 4, получились следующие цифры:
На скриншотах из ATTO Disk Bemchmark есть некоторые аномалии по скорости чтения при размере блока 256КБ (и при 4КБ), и опять же это повторяемые значения, и точно такая же картина наблюдается на SSD G70 PRO, и на ещё одном SSD Team Group T-Force G50, где применён контроллер IG5220, из чего можно сделать вывод, что опять таки это особенности работы контроллеров данного производителя. В целом, особого криминала в этом нет.
В программе AS SSD Benchmark, SSD набирает 8274 балла, и этот результат лишь слегка не дотягивает до топовых моделей SSD, работающих по шине PCI-E Gen4x4.
Видеоверсия обзора:
Выводы
SSD Fanxiang S770 это безусловно интересный продукт, построенный на базе производительного контроллера, и достаточно хорошего варианта Flash памяти, при этом имеющий выделенный DRAM буфер и заводской радиатор из алюминия.
Накопитель демонстрирует хорошие скорости по линейной записи, и отличные результаты по скорости линейного чтения, и не сильно разогревается во время работы.
P.S. Пока дописывал обзор, сегодня днём модель S770 закончилась (ещё бы, за такую то цену), пока жду ответ от магазина появится ли она в период распродажи снова, что наверное маловероятно. В любом случае отпишусь что ответит магазин.
Решил опубликовать обзор, так как в продаже пока ещё есть DRAM-Less модель S660, стоимость которой всего 4377р за 1ТБ версию, и на неё я ранее делал обзор То же вполне себе нормальный вариант NVMe SSD, с радиатором в комплекте, который даже поинтереснее чем в S770.
2ТБ вариант модели S660 стоит всего 8109р. Возможно, кто то как раз искал недорогой вариант, и S660 за такую стоимость был бы интересен.
К тому же, на этот SSD сейчас очень интересная цена, в рамках распродажи. Рассмотрим возможности продукта более подробно.
Спецификации SSD
Воспользуюсь слайдом со страницы товара, что бы продемонстриовать заявленные параметры SSD.
Как видим, для модели с ёмкостью 1ТБ заявлена максимальная скорость чтения 7400МБ/c, а так же максимальная скорость записи 5400МБ/c, и это приличные значения. Объём DRAM буфера составляет 1ГБ.
Про допустимый объём перезаписи данные не указали, но условно, можно считать его в районе 600ТБ, зная что здесь используется неплохая TLC память от Hynix (но это я уже забегаю вперёд).
Самые внимательные наверное заметили некоторое несоответствие в конце слайда показанного выше. Если нет, то могу сказать что указанный там процессор не дружит с PCI-E Gen4, а значит SSD не смог бы развить такие высокие скорости, работая в паре с ним… Ну и в названии памяти немного промахнулись с буквой.
Распаковка
SSD поставляется в фирменной коробке.
Внутри коробки находится сам SSD, винт для фиксации SSD в МП, отвёртка, и инструкция по установке и эксплуатации.
SSD выглядит так:
Радиатор уже установлен на SSD. Единственное, это явно не самый эффективный вариант, ввиду слабого оребрения, но и при таком раскладе он явно лучше чем «радиатор-наклейка».
На противоположной стороне радиатора присутствует наклейка с информацией о продукте.
Тестирование
Тестирование я буду проводить на компьютере с материнской платой MZI Z590-A PRO и процессором i5-11400F (DDR4 3600 8*2ГБ), в «процессорном» слоту М.2.
Пользователю доступен объём 931.5ГБ.
Программа CDI выдаёт следующие данные из SMART накопителя:
Теперь обратимся к программе от Вадима Очкина (vlo), для просмотра данных о начинке SSD.
v0.151a
OS: 10.0 build 22631
Drive : 1(NVME)
Scsi : 2
Driver : W10
Model : Fanxiang S770 1TB
Fw : 3.W.J.E4
NVMe ver: 1.4
Size : 953869 MB [1000.2 GB]
LBA Size: 512
AdminCmd: 0x00 0x01 0x02 0x04 0x05 0x06 0x08 0x09 0x0A 0x0C 0x10 0x11 0x14 0x80 0x81 0x82 0x84 0xC2 0xC7 0xC8 0xC9 0xD0 0xD4 0xD6 0xD7 0xDA 0xE4 0xE5 0xE6 0xF0 0xF2 0xF7 0xFC 0xFD 0xFE 0xFF
I/O Cmd : 0x00 0x01 0x02 0x09
Ctrl/DID: 5236
F/W : 3.W.J.E4
Bank01: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank03: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank09: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank11: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank17: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank19: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank25: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank27: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank33: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank35: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank41: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank43: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank49: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank51: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank57: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank59: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Flash params:
dc 37 00 00 | 00 00 00 00 | 00 10 00 00 | 2f 00 0f 01
80 10 00 01 | 03 10 03 08 | 02 01 04 00 | 5d 04 00 00
80 05 11 00 | 63 60 03 08 | 00 00 00 00 | 00 00 00 00
..
00 00 00 00 | 00 00 00 00 | 14 00 00 00 | 00 00 00 00
00 00 00 00 | 00 00 00 00 | b0 04 b0 04 | 9a 02 00 00
00 00 33 2e | 57 2e 4a 2e | 45 34 00 00 | 00 00 36 52
Page count : 4224
Super blocks : 271
Total Die : 16
Channel : 8
CE/Ch : 2
Die/CE : 1
Plane : 4
Freq : 1200/1200/666
Defects:
Bank00: 0
Bank01: 1
Bank02: 0
Bank03: 0
Bank04: 6
Bank05: 3
Bank06: 10
Bank07: 9
Bank08: 0
Bank09: 0
Bank10: 9
Bank11: 4
Bank12: 0
Bank13: 0
Bank14: 3
Bank15: 2
All: 47
SSD построен на базе весьма производительного, 8 канального контроллера Innogrit IG5236 (RainierPC), работающего в паре с достаточно интересной в плане скорости, 176 слойной Flash памятью от Hynix (TLC), которая представлена здесь 16 банками по 512Гбит каждый. Ранее, данная модель SSD судя по всему выпускалась с памятью от YMTC.
Контроллер присутствует на рынке уже достаточно продолжительное время, но не смотря на это, он по сей день остаётся интересным решением в плане производительности. На данный момент это топовый продукт в линейке производителя, если говорить о клиентских решениях.
176 слойная память от Hynix мне попадалась и ранее, но то были SSD без выделенного DRAM буфера, и при их тестировании память показывала себя как отличное решение, особенно в плане скорости записи.
Объём DRAM буфера в программе не определяется, но в данном случае, под него используется DDR4 память, объёмом 1ГБ.
Теперь посмотрим на что способен SSD в тесте скорости записи, используя программу AIDA64:
Как видно со скриншота, размер эмулируемого SLC кэша составляет 35% (326ГБ) от объёма SSD. Пока SLC кэш не заполнен, скорость записи составляет ~5700МБ/c. После исчерпания SLC кэша, небольшой отрезок записи идёт на скорости ~2100МБ/c, после чего происходит окончательная корректировка скорости, до ~1200МБ/c, что весьма неплохо.
График при перезаписи (запись на неочищенный SSD), выглядит следующим образом:
Здесь тоже видим очень достойную скорость, составляющую примерно 2300МБ/c. В начале теста небольшая часть данных записалась в SLC режиме, видимо задействовав ранее не записанный кусок из резервной области.
Скорость линейного чтения в AIDA 64:
Как видно по графику, в начале теста скорость держится на уровне 4500-4600МБ/c, и практически сразу увеличивается до 5200МБ/c. В данном случае, это не проблема конкретного SSD, а особенность работы контроллера IG5236. Средняя скорость получилась равная ~5000МБ/c.
Я тестировал брата близнеца Fanxiang S770, а именно Team-Group T-Force G70 PRO, который построен на том же самом контроллере, и на той же самой Flash памяти, и поведение там точно такое же.
В целом, к скорости линейного чтения Fanxiang S770 нет вопросов, значение весьма высокое.
В конце операции чтения, нагрев по SMART был незначителен.
По тепловизору так же показывает незначительный нагрев:
В программе CDM получились следующие результаты:
При размере блока 4КБ, в многопоточном тесте случайного чтения с очередью, SSD набирает более 1000000IOPS, выходя на максимум возможностей контроллера.
При том же размере блок 4КБ, в тесте случайного чтения в один поток, и уже без очереди, SSD набирает около 14000IOPS.
С ростом размера тестовой области, скорости по сути не изменяются, благодаря наличию выделенного DRAM буфера, а так же достаточному объёму эмулируемого SLC кэша.
В ATTO Disk Bemchmark, с глубиной очереди 1 и 4, получились следующие цифры:
На скриншотах из ATTO Disk Bemchmark есть некоторые аномалии по скорости чтения при размере блока 256КБ (и при 4КБ), и опять же это повторяемые значения, и точно такая же картина наблюдается на SSD G70 PRO, и на ещё одном SSD Team Group T-Force G50, где применён контроллер IG5220, из чего можно сделать вывод, что опять таки это особенности работы контроллеров данного производителя. В целом, особого криминала в этом нет.
В программе AS SSD Benchmark, SSD набирает 8274 балла, и этот результат лишь слегка не дотягивает до топовых моделей SSD, работающих по шине PCI-E Gen4x4.
Видеоверсия обзора:
Выводы
SSD Fanxiang S770 это безусловно интересный продукт, построенный на базе производительного контроллера, и достаточно хорошего варианта Flash памяти, при этом имеющий выделенный DRAM буфер и заводской радиатор из алюминия.
Накопитель демонстрирует хорошие скорости по линейной записи, и отличные результаты по скорости линейного чтения, и не сильно разогревается во время работы.
P.S. Пока дописывал обзор, сегодня днём модель S770 закончилась (ещё бы, за такую то цену), пока жду ответ от магазина появится ли она в период распродажи снова, что наверное маловероятно. В любом случае отпишусь что ответит магазин.
Решил опубликовать обзор, так как в продаже пока ещё есть DRAM-Less модель S660, стоимость которой всего 4377р за 1ТБ версию, и на неё я ранее делал обзор То же вполне себе нормальный вариант NVMe SSD, с радиатором в комплекте, который даже поинтереснее чем в S770.
2ТБ вариант модели S660 стоит всего 8109р. Возможно, кто то как раз искал недорогой вариант, и S660 за такую стоимость был бы интересен.
+33 |
7125
55
|
Самые обсуждаемые обзоры
+10 |
1323
101
|
+30 |
1232
35
|
На изображении 9 скорость после второй ступеньки ~1000МБ/c, а не ~1200МБ/c.
Да у меня были мысли что возможно термопрокладка не очень, но и разница температур относительно небольшая, что бы с этим заморачиваться.
можно разве что-то выгоднее собрать по отдельности?
Если ген 2х2 не нужны, то за 4734 у fanxiang есть готовый внешний ssd на терр.
Так что не ниже USB 3,2gen2x2 нужен.
сходите туда еще с сунгами с ali, потом расскажите вектор и скорость, с которыми вас пошлют.
Так только путаница создаётся.
Пихну в бокс для SSD.
Имхо за эту цену даже если не надо, можно взять.
1. Влияет ли рам кеш каким-то образом на долговечность флеша при работе с мелкими файлами или нет?
2. Правильно ли я понимаю что эмуляция SLC кеша в S660 17%, а в S770 30%?