Обзор NVMe SSD накопителя TeamGroup T-Force G70 Pro (1 ТБ)

Всем привет. Сегодня я расскажу о NVMe SSD накопителе G70 Pro, с ёмкостью 1 ТБ. SSD имеет выделенный DRAM буфер и поставляется в комплекте с фирменным радиатором, выполненным из алюминия.
Накопитель работает через интерфейс PCI-E Gen4x4, и демонстрирует высокие скорости, как по линейному чтению, так и по линейной записи.


Спецификации

Обратимся к официальному сайту компании, для изучения спецификаций SSD.

Как видно со скриншота, SSD выпускается с двумя разными номерами партий, оканчивающимися на 128 и 129. Ко мне попал вариант с маркировкой оканчивающейся на 128. В чём отличие между ними не совсем понятно, так как характеристики у них заявлены полностью идентичные.

Максимальная скорость линейного чтения заявлена как 7400МБ/c, что по сути является приделом возможностей интерфейса PCI-E Gen4x4. Максимальная скорость линейной записи заявлена как 5500МБ/c (в реальности она ощутимо выше, но об этом чуть позже).

Заявленный ресурс по перезаписи составляет 740ТБ, это максимально возможное значение для пользовательских SSD, основанных на TLC памяти. Тип памяти не заявлен, но по указанному ресурсу сразу можно сделать вывод что это именно TLC память. Гарантия на SSD составляет 5 лет.

Распаковка

SSD поставляется в фирменной коробке.
На коробку нанесена информация по скоростям линейного чтения и линейной записи. Указанная скорость линейной записи выше чем заявлено на официальном сайте.

Внутри коробки находится блистер, предохраняющий SSD от повреждений. В блистере находится сам SSD и радиатор, который нужно установить самостоятельно. Для установки радиатора в комплекте также поставляются 4 винта и термопрокладка.

Устанавливается радиатор очень просто, и фиксируется 4 винтами. Толщина у радиатора не большая, оребрение выполнено внутри, что на мой взгляд, несколько снижает его эффективность.

Сам SSD выглядит так:

Здесь можно наблюдать контроллер Innogrit IG5236 (кодовое имя RainierPC), микросхему DRAM буфера Nanya NT5AD256M16D4-HR (DDR4 4 Гбит, 2666 МГц эффективная частота), и две микросхемы Flash памяти с маркировкой H25T1TC48CX490.
На противоположной стороне платы, там где находится наклейка, расположена вторая микросхема DRAM буфера, аналогичная первой (сделано это для увеличения быстродействие DRAM буфера), и ещё две аналогичных микросхемы Flash памяти. Итоговый объём DRAM буфера 8 Гбит (1024 МБ).

Про контроллер Innogrit IG5236 я недавно рассказывал в обзоре на Fanxiang S770

Элементы радиатора имеют следующий вес:
С установленным радиатором SSD выглядит так:

Тестирование

Тестирование я буду проводить на материнской плате MZI Z590-A PRO, работающий в паре с процессором I5-11400F, а так же 16ГБ памяти DDR4 (2*8 ГБ).

Для начала, рассмотрим какой объём пространства доступен пользователю.
Как видим, объём составляет 931.5 ГБ.

Теперь взглянем на информацию из SMART, используя программу CDI.
Необходимые данные для оценки состояния накопителя присутствуют. При производстве было записано/прочитано некоторое количество данных, информация об этом осталась в SMART.
Для получения информации об аппаратной составляющей SSD, использую программу от Вадима Очкина (vlo).

v0.151a
OS: 10.0 build 22631 
Drive   : 1(NVME)
Scsi    : 2
Driver  : W10
Model   : T-FORCE TM8FFH001T                      
Fw      : 3.g.J.MD
NVMe ver: 1.4
Size    : 953869 MB [1000.2 GB]
LBA Size: 512
AdminCmd: 0x00 0x01 0x02 0x04 0x05 0x06 0x08 0x09 0x0A 0x0C 0x10 0x11 0x14 0x80 0x81 0x82 0x84 0xF2 0xFC 0xFD 0xFE
I/O Cmd : 0x00 0x01 0x02 0x09
Ctrl/DID: 5236
F/W     : 3.g.J.MD
Bank01: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank03: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank09: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank11: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank17: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank19: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank25: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank27: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank33: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank35: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank41: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank43: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank49: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank51: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank57: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Bank59: 0xad,0x7e,0x28,0xb,0x0,0xc0 - Hynix 3dv7-176L TLC 16k 512Gb/CE 512Gb/die
Flash params:
96 0d 00 00 | 00 00 00 00 | 00 10 00 00 | 16 00 0f 01
80 10 00 01 | 03 10 03 08 | 02 01 04 00 | 5d 04 00 00
80 05 11 00 | 54 47 03 08 | 00 00 00 00 | 00 00 00 00
..
00 00 00 00 | 00 00 00 00 | 14 00 00 00 | 00 00 00 00
00 00 00 00 | 00 00 00 00 | b0 04 b0 04 | 9a 02 00 00
00 00 33 2e | 67 2e 4a 2e | 4d 44 00 00 | 00 00 36 52
Page count		: 4224
Super blocks		: 271
Total Die		: 16
Channel			: 8
CE/Ch			: 2
Die/CE			: 1
Plane			: 4
Freq			: 1200/1200/666

Defects:
Bank00:	0
Bank01:	1
Bank02:	1
Bank03:	4
Bank04:	2
Bank05:	0
Bank06:	1
Bank07:	6
Bank08:	2
Bank09:	4
Bank10:	1
Bank11:	0
Bank12:	0
Bank13:	0
Bank14:	0
Bank15:	0
All:	22

Контроллер InnoGrit 5236 определился корректно.
В SSD применена точно такая же, 176 слойная TLC память от Hynix (16 банков по 512Гбит), как и в Fanxiang S770, от чего результаты тестов двух этих накопителей должны быть похожи, если их прошивки сильно не отличаются между собой.

Взглянем на скорость линейной записи, в программе AIDA64:

Как видим, пока не заполнен эмулируемый SLC кэш, максимальная скорость записи составляет ~ 5700 МБ/c. Размер эмулируемого SLC кэша составляет здесь 35% (~326 ГБ). После того как SLC кэш заполнился, скорость линейной записи снижается до ~2100 МБ/c, и держится на этой отметке не продолжительное время, затем корректируюсь уже окончательно, ~ до 1000МБ/c, что очень даже неплохо. Flash память действительно демонстрирует хорошее быстродействие, хотя и не является самой быстрой из того что есть на рынке.

Если перезаписать SSD, предварительно не очистив его, то в AIDA64 получится следующий результат:

Средняя скорость составила ~2200 МБ/c, и это отличный результат, опять же таки говорящий о хорошем быстродействии как применённой Flash памяти, так и в некоторой степени контроллера Innogrit IG5236, который раскрывает её возможности в полной мере.

Взглянем теперь на скорость линейного чтения в AIDA64:
Средняя скорость получилась ~5100 МБ/c. График не идеально ровный, и в самом его начале скорость была в районе 4800 МБ/c. Судя по всему, это особенность работы контроллера Innogrit IG5236, так как поведение в данном случае идентично тому же Fanxiang S770.
К скорости линейного чтения, в целом, у меня нет вопросов, итоговый результат очень хороший.

В конце операции линейного чтения, по SMART была следующая температура:
На радиаторе, по данным с тепловизора, значение было несколько меньшим:
Возможно, разница температур связана с относительно небольшой площадью кристалла контроллера, и соответственного его не самого эффективного взаимодействия с термопрокладкой.
Взглянем и на скорость случайного чтения, при размера блока 4 КБ:
Здесь видим так же отличный результат, со средним значением 298 МБ/c.
Не знаю почему, но полученной значение почти в 3 раза выше чем было получено у Fanxiang s770, при том что я переделывал тест несколько раз.
В программе CDM, получились следующие результаты:
Максимальная скорость линейного чтения достигла значения 7137 МБ/c, что чуть ниже заявленного значения 7400 МБ/c, но спишем это на разность применённых тестовых платформ. Максимальная скорость записи ощутимо выше заявленного значения 5500 МБ/c, и составляет здесь 6729МБ/c.

Скорость многопоточного, случайного чтения с очередью, при размере блока 4 КБ составила 4155 МБ/c (~1000000IOPS). Скорость случайного чтения, с размером блока 4 КБ составила 57.09 МБ/c (~14500IOPS)

С ростом размера тестовой области скорости держатся на том же уровне что были ранее, благодаря тому, что SSD с выделенным DRAM буфером, а так же тому что используемые для теста файлы «убираются» в эмулируемый SLC кэш.
В программе AS SSD Benchmark SSD TEAMGROUP T-FORCE G70 Pro набирает около 8100 баллов:
По баллам SSD лишь немного не дотянул до топовых моделей NVMe SSD с интерфейсом PCI-E Gen4x4, которые демонстрируют значения около 9000 баллов.

В программе ATTO Disk Benchmark, при разной глубине очереди (1 и 4), видим следующие результаты:
Здесь я приложил два скриншота, что бы показать что есть некоторая аномалия при работе с блоком 256 КБ, связанная с самим контроллером (у Fanxiang S770 всё аналогично).

Видеоверсия обзора:


Выводы

SSD накопитель TEAMGROUP T-FORCE G70 Pro это интересный продукт, обладающий приличным уровнем производительности, за счёт применения достаточно быстрой 176 слойной Flash памяти от Hynix (TLC), и производительного контроллера Innogrit IG5236, работающего в паре с DRAM буфером ёмкостью 1ГБ.

Так же, к плюсам данной модели я могу отнести наличие комплектного радиатора (хотя без него контроллер Innogrit IG5236 явно бы перегревался, и здесь он обязателен). и пятилетнюю гарантию на SSD.