Авторизация
Зарегистрироваться

ATORCH DL24: электронная нагрузка 150 Вт для тестов


Для проверки зарядных устройств и блоков питания понадобилась регулируемая нагрузка помощнее. Есть успешный опыт эксплуатации модели на 65 Вт от ATORCH. Решил взять от того же бренда. DL24 популярная электронная нагрузка в бескорпусном исполнении, но с дисплеем и с вентилятором как для ЦП от ПК (диаметр 9 см). Силовой транзистор MOSFET IRFP264 или IRFP260. Модель довольно функциональна и позволяет не только проверять выходные параметры блоков питания, но и тестировать емкость АКБ (в том числе инструмента). Краткий обзор под катом.

Как всегда, начнем обзор с заявленных характеристик продукта.
Общие технические характеристики
Тип товара: регулируемая USB-нагрузка
Мощность: 150 Вт (есть версия 180 Вт)
Напряжение: 2...200 В
Ток: 0,2...20 А
Внешнее питание: DC 12 В 1 A
Управление: кнопки, Bluetooth и мобильное ПО, ПО для ПК
Размеры: 156х98х70 мм
Официальный сайт
ПО и драйвера

В лоте есть выбор 150 или 180 Вт нагрузка (отличаются кулером и силовым транзистором). Я брал 150 Вт, чтобы хватало для проверки блоков питания мини-ПК.
Посылка была добротно упакована: внутри картонной коробки пластиковый блистер.
Комплект поставки устройства:
  • Нагрузка DL24 150W
  • Планка с четырьмя разъемами
  • Сетевой блок питания DC 12V 1A
  • Адаптер для «евро» розетки
  • Кабель для ПК с разъёмом micro USB
  • Датчик температуры (отключаемый)
  • Силовые кабели 12 AVG с зажимом крокодил
  • Руководство пользователя (китайский и английский)
Для тестов зарядных устройств с быстрой зарядкой нужен отдельный PD-триггер или usb-тестер с поддержкой этой функции (например, FNB58).
Опционально можно купить холдер для тестов аккумуляторов и батареек разного формата:
Для работы нагрузки обязательно внешнее питание 12 В. Сетевой адаптер в комплекте:
Качество на вид так себе. Длина кабелей 1,5 м.
Сразу же проверим его параметры:
Заявленную мощность держит. Потребление при простое 0,9 Вт.
Для тестов БП с разными кабелями с силовой разъем нагрузки (с четырех проводным подключением) устанавливается специальная планка с четырьмя самыми распространенными разъемами (параллельно):
Удобное решение — подключил кабель, выставил ток и проверяешь.
Схемы подключения нагрузки и особенности работы даны в руководстве пользователя:
Внешний вид
Бескорпусное исполнение накладывает некоторые ограничения, но на плате предусмотрены пластиковые ножки. Но с развитием 3D принтеров корпус напечатать не проблема.
Радиатор с вентилятором занимает 60% площади платы, остальное дисплей и кнопки управления (4 шт.). Надписи: английский и китайский.
Размеры цветного экрана 5,2х4 см. Информации выводится достаточно много.
Питание 12 В подводится с задней части платы, сбоку есть такой же разъем, но для калибровки. Важно не перепутать.
Размеры не такие компактные как у связки тестер + нагрузка 65 Вт:
Но зато зарядные устройства вплоть до 140 Вт можно проверять.
Дисплей в работе:
Плата нагрузки со всех сторон:
Масса 292 г.
Не забыт микродинамик для звуковых оповещений. В левом нижнем углу разъем термопары.
Из микросхем: измеритель RN8209C, USB в UART CH340G, bluetooth модуль с антенной на плате, и микроконтроллер с затертой маркировкой.
Под радиатором есть термопаста:
Для тех, кому нужно большее погружение в технические особенности: обзор, где расписаны доработки и проведены профессиональные множественные тесты нагрузки.
Меню ATORCH DL24:
Проверка выхода повербанка и подключение термопары (окружающий воздух):
При работе оперируем силой тока.
Проверка на аккумуляторе инструмента:
Сразу видно, есть небольшой запас по мощности. Судя по тепловизору нагрев не выше 60 градусов при нагрузке 150 Вт.
После отключения показывается экран с итоговыми параметрами:

Помимо управления с кнопок, есть софт для ПК. Соединяем нагрузку и ПК комплектным кабелем. Сначала ставим драйвер, запускаем ПО E-Tester PC soft -V2.0.1, выбираем COM порт и работаем.
Программа умеет управлять нагрузкой, сохранять логи (время-напряжение-ток-мощность) каждую секунду и обновлять прошивку нагрузки. Клавиатура нагрузки не блокируется. Но графики без настраиваемого масштаба.
Так же ПО есть для смартфона (работает по bluetooth):
Так же есть экспорт данных.
Заключение
Блок питания мини-ПК:
По итогу: Неплохая нагрузка, меня устроила для моих задач. Но практичность эксплуатации без корпуса страдает. О покупке не пожалел, отзывов и материалов много, можно доработать на большую мощность.
Спасибо за внимание. Удачных покупок!
Планирую купить +17 Добавить в избранное +56 +70
свернуть развернуть
Комментарии (94)
RSS
+
avatar
  • credo2
  • 12 апреля 2024, 16:14
0
Вы цену не мониторили, бывает дешевле по акции?
+
avatar
  • bdos
  • 12 апреля 2024, 16:16
0
Я покупал за 2.5
+
avatar
  • penzet
  • 12 апреля 2024, 16:26
0
Без Бп в магазине производителя цена 2К
+
avatar
  • Halex
  • 12 апреля 2024, 18:30
0
Сейчас скидки нет, у Atorch недавно была, но закончилась. Я успел урвать второй модуль на 150W для модульной DL24MP. Уже «на подлёте»…
+
avatar
0
за 1,5 без БП и радиатора
Уже 1,8 но с БП и через 1 день
https://aliexpress.ru/item/1005006364829757.html
+
avatar
  • dens17
  • 12 апреля 2024, 16:24
+5
Для работы нагрузки обязательно внешнее питание 12 В. Сетевой адаптер в комплекте
Не надо на него сильно надеяться. В некоторых партиях, там может быть б/у хлам с разбора, с родными откусанными проводами. У меня там была совсем никакая плата, даже не стал её делать, просто выкинул. Брал давно родственнику.

Кто конкретно заинтересовался этой нагрузкой, то у Kirich(а) в блоге есть материал по этим нагрузкам.
+
avatar
  • advik
  • 12 апреля 2024, 16:35
0
Я так понимаю ограничение 2В по минимальному значению напряжения нагрузки сужает возможности использования. Например со свинцовыми АКБ побаночно уже не получится работать. Так ли это реально интересно? Нужно ли покупать под такие задачи более дорогую CL24 или тут можно выкрутится для напряжений тестируемых АКБ от 1,2-1,6В?
+
avatar
  • bdos
  • 12 апреля 2024, 17:36
-3
не мой кейс. от 5 В проблем нет
+
avatar
  • gugol
  • 12 апреля 2024, 18:22
+3
По-моему, если со свинцовым АКБ требуется работать по-баночно — то АКБ не жилец. И времени затратишь немеряно.
+
avatar
  • advik
  • 12 апреля 2024, 18:45
0
не совсем. Есть авто, и у меня такое, например, хоть и японское — где у АКБ неравномерный нагрев при работе и постепенно одна банка начинает отставать Уже на второй год обычно. Если заниматься всей батареей выравнивая плотность, внутреннее сопротивление — то это лишняя порой нагрузка на живые банки. А так — крышку открыл, щуп подключил и прогнал КТЦ, подзарядил отдельно. А затем уже батарею в целом причесал. Время тратишь, не спорю. Но если все автоматизировано более менее и есть подменный АКБ то приемлемо все.
+
avatar
+1
я последний раз видел батареи с доступом к перемычкам между банками наверно в школе еще
+
avatar
  • advik
  • 14 апреля 2024, 12:33
+5
Это лишь так кажется… Любая АКБ автомобильная в той или иной степени предоставляет доступ к перемычкам и работе с ней побаночно. Если у АКБ есть заливные пробки для коррекции уровня электролита и замера его плотности то это делается без всяких «разрушающих» вмешательств.
+
avatar
+1
более дорогую CL24
Для тестов АКБ до значений 1,2-1,6В подойдет ATORCH DT24. Реально позволяет выставлять нижний порог отключения нагрузки с помощью реле до 1В. Возможно без реле будет разряжать и ниже. Не пробовал. Но это не электронная нагрузка, а тестер. Нагрузку нужно подключать после него. Можно просто резистор или галогенку.
А что за CL24?
+
avatar
  • advik
  • 12 апреля 2024, 18:50
+1
Ну. нагрузка в виде модуля что контролирует напряжение АКБ и отключает внешнюю нагрузку реле при снижении его у меня есть. И цена ему рублей 300 или 500, если не путаю. При этом он еще и амперчасы считает.
Но интересно именно нагрузка которая держит режимы постоянного тока и т.п. А также в которой можно автоматизировать циклы разряда/заряда гибко.
CL24 — еще одна версия нагрузки от ATROCH на 150Вт, но с напряжением рабочим нагрузки от 1В и всякими там модулями заряда, блютусами и вайфаями. Там приемлемый комплект начинается вроде с 4500р и дороже.
+
avatar
0
Да, нашел такую нагрузку у ATROCH. И с порогами напряжения она работает
Отключение по указанному напряжению: поддерживается

Не увидел модуля реле.
Пожалуй это прогресс подобных электронных нагрузок. Если мощности достаточно, и не нужно мучится калибровками в измерении тока и напряжения, то можно ее брать. Для DT24 все-таки нет проблемы ограничения по мощности. Можно подключать любой нагрузочный силовой блок (до 30 А, конечно).
+
avatar
+2
Ну вроде уважаемый товарищ Kirich еще свой блог не закрыл.
www.kirich.blog/obzory/izmeritelnoe/1231-elektronnaya-nagruzka-cl24-chto-ty-takoe.html
+
avatar
0
нет ограничения в 2 вольта, разряжал Ni Mh до 0.8в
+
avatar
+6
силовой транзистор MOSFET IRFP264 или IRFP260
значит это нагрузка где-то на реальных 55Вт
+
avatar
-1
Это с чего вдруг? Везде заявлена максимальная рассеиваемая мощность 280-300 Вт, ладно, понимаем что это предел, опускаемся до 140-180 Вт, но уж никак не 65
П.С. Гоняю уже около года такой с нагрузками до 180 Вт, пока живой до сих пор, хотя на всякий прикупил пяток оригинальных IRFP260
Да и вообще оказалась крайней полезная девайсина для меня
+
avatar
+6
Это с чего вдруг?
с того, что SOA минус 15% для линейного режима для этого мосфета, где-то 55Вт
везде заявлена максимальная рассеиваемая мощность 280-300 Вт
значит обходим этого производителя 10й дорогой, если он так врет по параметрам
но уж никак не 65
да, не 65. 55
гоняю уже около года такой с нагрузками до 180 Вт, пока живой до сих пор
ну поздравляю. Значит у вас уже там деградировал кристалл. В любой момент может случится бах с возможным кз нагрузки
+
avatar
+4
У оригинально irfp260n график SOA ограничен ~400 Вт для 10мс импульса. А постоянный ток (не импульсный) при температуре корпуса 100 С более 30 А. Что с ним не так? Главное, тепло отводить. :) А судя по дерейтингу 2W/C в пределе он может рассеять тепло 150 Вт при температуре корпуса 100 С. По идее, если удержать его температуру в 75С, то он с запасом сможет рассеивать мощность этой нагрузки…
+
avatar
+1
Maximum power dissipation TC = 25 °C PD 280 W температура кристалла не корпуса
Чтобы выделять такую мощность на корпусе то247 температуру кристалла надо держать
25.Видел рекомендации ir то220 14 вт то247 25 вт это долговременная нагрузка на
кристалл. Кратковременные в разы в зависимости от времени. Не могу найти ссылку на эту статью.
+
avatar
+1
У кристалла Tj должна быть, Tc — T case, насколько я помню. Tj до 175 С.

Попробуйте с рекомендациями 25 Вт с TO247 объяснить съем 500 Вт с кристалла видеокарты… Вопрос исключительно в способах отвода этого тепла, а дальше уже предельные возможности мосфета…
+
avatar
0
Рекомендации были сугубо для транзисторов где кристалл маленький относительно корпуса.
+
avatar
+1
А почему он тут маленький? Когда kirich пилил мосфеты, маленькие были у поддельных только.
+
avatar
  • vlo
  • 13 апреля 2024, 19:09
+1
по сравнению с чем маленьким — с кристаллом cpu/gpu в пяток см^2?
тут весь корпус в разы меньше, а кристалл еще в разы меньше корпуса.
+
avatar
0
Какой пяток кв.см… У Zen3 кристалл на 8 ядер всего 81 кв.мм. С него снимают 200-220 Вт. Кирич пилил IR и PN с Тао в TO247, у похожих на настоящие кристалл 43 кв.мм при заявленной мощности до 300 Вт в DC (причем для Tc 100C Кирич где-то высмотрел 150 Вт в DC, хотя я в даташите этого не нашел).

Рекомендацию про 50 Вт я у него же нашел, мол, если нет области для DC, примерно безопасно можно снять 50 Вт с такого транзистора, причем без оглядки на параметры. При этом делал ремарку, что в какой-то нагрузке те же IRFP260M спокойно рассеивают 75 Вт.
+
avatar
0
Вы можете снять хоть заявленные 500 ватт у транзистора в режиме DC, но с одним условием что температура кристалла транзистора не должна быть выше паспортных, так как каждый градус крадёт мощность полевого транзистора из за теплового сопротивления между кристаллом и подложкой транзистора, дополнительно есть ещё тепловое сопротивление между самим радиатором и транзистором. Всё это нужно учитывать, так что на практике снять более 75 ватт не выйдет с транзистора без его деградации
+
avatar
+2
Так я и писал раньше, что есть в даташите данные. И тепловое сопротивление подложка-корпус, и даже корпус-радиатор через пасту, хоть и не везде, и снижение рассеиваемой мощности от температуры.

Грубо, предельный вариант для 150 Вт PSMN020-150W — это температура корпуса 100 С. Если взять из даташита IR примерное сопротивление корпус-радиатор 0.25 K/W, при хорошем контакте потребуется поддерживать радиатор не выше 62С. Это вполне достижимо (правда, не тем кулером, что ставят китайцы на эту нагрузку). А 100 Вт допускают Тс=125С при 100С на радиаторе, это вообще легко сделать… От этого еще можно взять запас 20-25% для разброса параметров. Т.е. те самые 75 Вт можно снимать, если радиатор в месте контакта греется под 100. Либо я не понимаю коэффициенты даташита. :)

Вопрос же в том, чтобы отводить тепло, а не что ТО247 категорично не может отдать более 75Вт. Только это дороже намного, чем поставить рядом еще один мосфет и снизить рассеиваемую мощность каждого наполовину. :)
+
avatar
0
Температура радиатора и температура кристалла транзистора это не одно и то же. С увеличением мощности будет увеличиваться и температура кристалла транзистора, вы чисто физически не успеете отвести столько тепла с корпуса транзистора
+
avatar
0
Ну почему, способы есть разные. От радиаторов, контурных теплотрубок и до жидкого азота. :)
И температуру радиатора я считал с учетом термосопротивления корпус-радиатор. Если посмотреть параметр рассеиваемой мощности и его падение с температурой корпуса (монтажной панели мосфета), то там получается всегда ровно или с запасом максимальная температура кристалла с учетом максимального термосопротивления кристалл-корпус (150-175С у разных мосфетов). Поэтому для оценки можно, на мой взгляд, пользоваться параметром рассеиваемой мощности от температуры корпуса. А между корпусом мосфета и радиатором по мнению IR в хорошем случае будет сопротивление ~0.25 К/W. Т.е. при 100 Вт всего 25С разница между корпусом мосфета и радиатором.
+
avatar
  • setool3
  • 14 апреля 2024, 16:12
0
Вопрос же в том, чтобы отводить тепло, а не что ТО247 категорично не может отдать более 75Вт. Только это дороже намного, чем поставить рядом еще один мосфет и снизить рассеиваемую мощность каждого наполовину. :)
Именно. Умеете зрить в корень.
+
avatar
  • vlo
  • 13 апреля 2024, 23:06
0
исходно речь была про gpu.
ad102 — 609
ga102 — 628
tu102 — 754

У Zen3 кристалл на 8 ядер всего 81 кв.мм.
у бытовых zen3 81+125 или 2*81+125. tdp всего 105w. отдельный ccd недееспособен.
у однокристальных — 180, tdp 15-65.
у старших рапторов 257
у xeon'ов бывает и 2x763 например

Кирич пилил IR и PN с Тао в TO247, у похожих на настоящие кристалл 43 кв.мм
вот-вот, мелочь пузатая.
+
avatar
0
Да, сорри, хотел тогда написать cpu/gpu, оставил gpu для примера большой мощности. Но не смог найти размер именно ядер у видюх на кристалле, потому потом для сравнения взял zen с его мелким ccd. И тепло сосредоточено в основном в ccd, как ни крути. Видюхи тоже не всей площадью кристалла излучают тепло равномерно.

На tdp не смотрите, РВО даёт снять куда больше, в синбенче 5800х под 220Вт кушает под водянкой. А однокристальный 65Вт спокойно выдает 180Вт, если нагрузить процессорные ядра и встройку. А за счёт площади ему никакой водянки не требуется при этом, спокойно кулер башенный справляется.

И если с площади 81 можно снять примерно 200Вт через слой припоя к крышке, то почему нельзя 100 с 43, когда кристалл практически на медной подложке находится. У PN мосфетов в DC с этой площади заявлено до 300Вт рассеивания, если отвести получится.
+
avatar
  • vlo
  • 14 апреля 2024, 18:09
0
размеры и того и другого можно посмотреть например в базе на techpowerup, там бывают опечатки, но для общего представления вполне сойдет.

сколь мне известно у него 200 кушает не один ccd, а вся система. включая все внешнее, кпд преобразователей, и i/o die тоже, который при обмене с памятью отнюдь не сачкует. так что именно от ccd отводится сильно меньше.
ну и главное что это не тупой кристалл, а сложнейшая система, непрерывно балансирующая его частоты и напряжения для того, что бы оставаться в пределах заданных мощности и температуры.
в случае же транзистора необходимо закладываться на худший случай.
+
avatar
0
Так в том и дело, что стресс-тесты часто используют данные, которые умещаются в кэш. В Интеле TDP расчетное, и может быть сильно меньше или больше реального, т.к. ориентируется не на напряжение ядра, а на запрошенное по VID. Как у AMD, не поручусь, завтра подсмотрю. Но эти параметры возвращает процессор, он не знает ничего о потреблении остальной системы. У моего Интела, например, в стрессе ОССТ с малым набором данных, когда не используется ОЗУ, 190 Вт идут на IA ядра, а 2.5 Вт потребляет остальной чип. По датчикам самого процессора.

Насчет худшего случая — как я понимаю, данные в даташите как раз худший случай (кроме параметром min-avg-max). Т.е. если купил, то вот его гарантированные предельные параметры.
+
avatar
  • vlo
  • 14 апреля 2024, 18:49
0
cinebench в кеш врядли умещается.

так у алдеров+ нет отдельного мониторинга (во всяком случае отображаемого всяким софтом) потребления кеша и контроллера памяти, которые живут в амдешном iod, они входят в тот самый «ia cores power».

так в даташите данных для интересующих условий может и не быть.
не говоря уж что даташит может быть от другого производителя (если транзисторы такой моели выпускают кому не лень), а что на самом деле прислал китаец и вовсе может быть неизвестно.
+
avatar
0
Возможно, поэтому в СВ23 ватт на 20 выше, чем в стресс-тесте в обзоре 5800Х.

Я завтра гляну, какие датчики есть на Zen3.
+
avatar
0
Посмотрел на своем 5700G (если пустят, еще 5900Х гляну), есть отдельно мощность домена ядер (если я правильно понимаю HWiNFO). И она от полного потребления чипа (до 134 Вт) в стрессах CPU отличается меньше, чем на 7 Вт. В Prime95 и CB23.
+
avatar
0
у оригинально irfp260n график SOA ограничен ~400 Вт для 10мс импульса
работа в линейном режиме полностью отличается от импульсного. Не так часто вы можете найти в даташите графики DC для SOA. Поэтому часто фирмы выпускают апноты, где это исследуют отдельно. Или кто-то проводит исследование. Тем более irfp260n, это hexfet пятого поколения. Они для DC так себе. Лучше третьего поколения. IRFP без буквы N, как раз третьего поколения, лучше их брать. Когда мосфет работает вблизи SOA на DC, идет деградация кристалла, а потом резко выход из строя. Причем график для разных напряжений отличается
По идее, если удержать его температуру в 75С, то он с запасом сможет рассеивать мощность этой нагрузки
он может быть с очень хорошим охлаждением и работать на небольших температурах, при этом успешно сдохнуть работая вблизи SOA
+
avatar
0
Современные полевики разработаны для работы в ключевом режиме.
Вольт ампер характеристика для линейного участка очень узкая и зависит от температуры.
+
avatar
+2
Современные полевики разработаны для работы в ключевом режиме.
Вольт ампер характеристика для линейного участка очень узкая
вы повторяете то, что написал я в предыдущих сообщениях
+
avatar
+2
Ну вы же сами написали минус 15% от SOA (разве что имели в виду SOA для DC). Понятно, что для мосфета, у которого вообще не заявлен режим DC, его безопасную область для DC можно только предположить. Во всех рекомендациях по нагрузкам написано, что предпочтительно выбрать мосфет с известной областью для DC в даташите. Но если ее нет, можно же примерно понять его пределы, если есть график максимального продолжительного тока через транзистор от температуры, рассеиваемая мощность (у 260n это 300Вт, хотя soa для импульсного ограничено гораздо большим), а также дерейтинг рассеиваемой мощности от температуры. И для этой нагрузки у меня получилось, что нужно удерживать температуру радиатора около 35-40 С, чтобы транзистор рассеивал 180 Вт. Речь о предельных значениях, конечно.
+
avatar
  • setool3
  • 13 апреля 2024, 15:52
+1
предпочтительно выбрать мосфет с известной областью для DC в даташите. Но если ее нет, можно же примерно понять его пределы
Или определить экспериментальным методом. Например, с помощью несложного стенда, — типового регулируемого источник тока и системы охлаждения с пи(д)-регулятором оборотов вентилятора.
Как показала история c AN-1155, даже относительно поздние (относительно конвенциональных методик ограничения фигур(ы) ОБР линиями Rdson_lim, Imax_lim, Pmax_lim и Vbr_lim для набора разных значений RthJC при разных длительностях одиночного импульса ) принципы теоретического построения семейств кривых ОБР c учётом эффекта Спирито (с определением зоны электронно-тепловой нестабильности) могут давать, мягко говоря, сильно пессимистичные результаты в сравнении с экспериментально подтверждёнными, как следствие в т.ч. неопределённости значимости реального градиента теплового пятна и разброса характеристик «ячеек» кристалла.
Бонусом экспериментальная методика позволяет наочно (не)увидеть ту самую сакральную «деградацию» по косвенным показателям: (не)изменению крутизны, тока утечки Ilk_ds или Vbr после n часов работы в близких к предельным температурных режимах. Очень полезное занятие для пытливых умов, рекомендую.

К слову, не многие понимают, насколько эксплуатация mosfet в ключевом режиме без предварительного моделирования температурных транзиентов Tj при, на первый взгляд, «безопасных» измеренных температурах Tc опаснее, чем эксплуатация в линейных режимах при стабильных, хоть и высоких, Tj.
+
avatar
0
Тут уже за пределами моих пониманий. :) Т.е., если кратко, расчет предельного теплоотвода в линейном режиме на основании данных даташита в принципе не может применяться? В моем понимании, если в нагрузке стоит такой мосфет, я по даташиту примерно определяю предел его рассеивания тепла с учётом температуры, дерейтинга, а потом принимаю, что 80% от полученного безопасный максимум, все это сильно далеко от правды?
+
avatar
  • setool3
  • 13 апреля 2024, 18:55
+1
расчет предельного теплоотвода в линейном режиме на основании данных даташита в принципе не может применяться?
Может, конечно, но со многими ньюансами. Если очень кратко, то выбирать лучше по возможности высоковольтные mosfet первых поколений с низкими крутизной и Rth, и с относительно высоким Rds_on. Так же, если в семействе кривых ОБР нет графика DC, то обращать внимание на пропорциональность участка, ограниченного Pmax_lim для ближайшей к DC кривой длительности импульса, т.е. 10 мс или 100 мс. Если же наклон таков, что мощность на конечном участке (высокие Vds, низкие Ids) ниже, чем на начальном, то присутствует зона электротермической нестабильности, и её границы для DC можно очертить только экспериментальными методами.
Опять же, в семействе графиков ОБР может присутствовать график DC, и может на нем быть явно видна изогнутая область эффекта Спирито. Но это часто могут быть данные, полученные теоретическими расчётами, а не практическими испытаниями. Применения таких mosfet лучше избегать, если нет возможности или желания собственноручно практически сверить актуальность указанной ОБР.
Ровно так же не стоит доверять «красивым» графикам DC на ОБР когда модель mosfet не позиционируется в описании как такая, что способна работать с DC в полном диапазоне Pd_max и Vds. Это так же могут быть чисто теоретические результаты.
Есть хорошие доступные проверенные OEM/ODM производителями «народных» элнагрузок (UNI-T, Mestek, ET, Kunkin) варианты mosfet, как новые, так и б.у., типа IRFP250M, у которых «загиб» (непропорциональность) на DC ОБР начинается выше 150 В. Ниже этого напряжения 75 Вт до Tc=125°C с одного корпуса снимать можно в пределе, как и больше при более активном охлаждении, чётко по derating factor (который в свою очередь диктуется DC RthJC). Вышеупомянутые производители успешно используют 6 шт в своих 400 Вт 150 В 40 А нагрузках.
+
avatar
0
Т.е., если кратко, расчет предельного теплоотвода в линейном режиме на основании данных даташита в принципе не может применяться?
если у вас нет графика SOA для DC, не может. Но часто эту информацию можно найти где-то еще
+
avatar
+2
Или определить экспериментальным методом. Например, с помощью несложного стенда, — типового регулируемого источник тока и системы охлаждения с пи(д)-регулятором оборотов вентилятора.
Измерить конечно можно, только нет никакой гарантии применимости результатов таких замеров для транзистора из другой партии, или сделанного на другой фабрике, ведь разброс параметров может быть довольно большим. Например, Vgs(th) даже у полевиков из одной партии запросто может отличаться на 0,5-0,7 вольта, а какой там реальный разброс по крутизне или пороговому напряжению между ячейками на кристалле — только производителю известно. Поэтому остается или доверять даташитам (и то, с осторожностью), или использовать чужой опыт успешного применения. Например, в фирменных нагрузках, где используются обычные полевики общего назначения, максимальная мощность ограничена примерно 30-40 ватт на корпус TO-247 (8 штук для мощности 300 ватт). Довольно пессимистичный подход, зато работают такие полевики долго и счастливо. Ну или быть опимистами как китайцы, и заявлять по 150-180 ватт на один корпус, правда, если не повезет с конкретным экземпляром транзистора, результат будет таким:
+
avatar
+1
Измерить конечно можно, только нет никакой гарантии применимости результатов таких замеров для транзистора из другой партии
правильно. Поэтому, когда эта информация появляется в апнотах, оно тестируется на большой выборке и там ограничивают результаты снизу
Например, в фирменных нагрузках, где используются обычные полевики общего назначения, максимальная мощность ограничена примерно 30-40 ватт на корпус TO-247
да :) сам видел такое
+
avatar
0
Ну смотря какой кулер стоит сверху, штатно китайцы ставят довольно хилый. Я вкорячил медный, давал до 190 Вт на напряжении 20 В (очень короткое время). А вот довольно долго она переваривала почти 180 Вт. Но там еще и диод рассеивает часть, не все идет на мосфет. При этом терморезистор, прижатый к радиатору рядом с мофетом и термопара, прижатая в отверстие мосфета с каплей термопасты не показывали более 72 С. Опять же, я большую мощность тестировал на малых напряжениях (мне нужно было проверить БП на 20А), а у Кирича такой мосфет бахнул при 125Вт и 50В. Может еще я не скачком подавал, а постепенно увеличивал.

Правда, я еще не знаю, какой у меня мосфет, не всем ставят 260М, как писали в отзывах.
+
avatar
0
так напряжение 84 вольта. я вообще не уверен сколько этот транзистор на таком напряжении в линейном режиме сможет потянуть. там по-моему нелинейная зависимость от напряжения, чем выше тем сильно меньше ток. впрочем, возможно это как раз подтверждение рассуждений о том что реальная мощность там 65Вт ;)
+
avatar
0
Ну вот даже по ссылкам Сергея про эффекты есть инфа, что чем ниже ток и выше напряжение, т.е. мосфет открыт очень слабо, сильнее проявляется разброс параметров «микромосфетов» внутри. При большом токе этот эффект нивелируется практически.
+
avatar
  • setool3
  • 14 апреля 2024, 16:08
0
Довольно пессимистичный подход, зато работают такие полевики долго и счастливо
Подход не пессимистичный, а рациональный. Распределение общей рассеиваемой мощности между n-ным числом корпусов — это не цель, а средство/способ достижения цели. А цель — удержание максимальной температуры кристалл(ов)а на том значении, которое разработчики считают условно безопасным (т. е. таким, при котором [по результатам проведения лабораторно-статистических исследований, вестимо] процент отказов составит *,**% при *** тыс часов наработки), при условии рациональной реализаци массо-шумо-цено-габаритных характеристик системы охлаждения в частности и устройства в целом.
Представьте ситуацию, когда кто-то решает вдруг в подобной сбалансированной конструкции «сэкономить», но не в ущерб надёжности, — применить, например, не 8, а 4 транзистора, при той же общей мощности устройства и поддержании того же «безопасного» значения температуры кристаллов. Элементарное моделирование электротепловых цепей подсказывает, что при прочих равных (RthJC, RthCH) нужно будет ВДВОЕ повысить эффективность системы охлаждения, — обеспечить вдвое ниже эквивалентное RthHA. Потому как общая генерируемая всеми кристалами мощность остаётся та же, а ∆T корпусов относительно Ta теперь нужно поддерживать вдвое ниже. Представьте как это повлияет на вышеупомянутые массо-шумо-цено-габариты системы охлаждения. Если очень грубо в первом приближении, то это вдвое больше площадь рассеивания и вдвое выше поток воздушных масс. Это была бы абсолютно иррациональная замена горстке копеечных [для производителя] электронных компонентов, без какой-либо экономии, разумеется, ровно наоборот.
Простота и ясность — это идеал познания ©.
+
avatar
  • setool3
  • 14 апреля 2024, 16:32
+2
К слову о статистике отказов для mosfet. У самураев в 90х годах в даташитах встречались вот такие таблицы зависимостей времени наработки при 1% отказов от температуры кристала:
Не по наслышке зная об их мнительности и дотошности, не удивлюсь, если график основан на реальных испытаниях.
+
avatar
0
разве что имели в виду SOA для DC
для DC конечно
понятно, что для мосфета, у которого вообще не заявлен режим DC, его безопасную область для DC можно только предположить
проще найти уже проверенные данные. Я там себе сохраняю инфу понемногу)
во всех рекомендациях по нагрузкам написано, что предпочтительно выбрать мосфет с известной областью для DC
так она для многих IRF* известна. Посмотрите какую-нибудь серьезную нагрузку, там часто на радиаторе много таких IRF* стоит, причем каждый рассеивает небольшую мощность в 20-40Вт. Есть специальные серии для DC. Конечно, их применять лучше всего. Но вы их цену посмотрите
Но если ее нет, можно же примерно понять его пределы
Нельзя, увы. Там вообще другой механизм работает. Вот, посмотрите
habr.com/ru/articles/648727/
+
avatar
+1
Ну речь о том, когда в нагрузке конкретный экземпляр. Я-то давно на замену купил мощный IGBT, но пока перепаять не было резона. :) Все думал на 300 Вт сделать из нее с парой IGBT. Но с кулером не получилось пока.

За ссылочку спасибо, не знал, откуда этот излом. Впрочем, я и не проектирую, слава Богу, электронику. :)

Кстати, в статье есть один слегка спорный момент, который я когда-то пробовал проверить экспериментально, но что-то не срослось на б/у мосфетах… Что «микротранзистор», который открылся больше других, греется и открывается еще больше, а в итоге сгорает. Для меня это не очень понятно, т.к. они все на одной подложке и в одном кристалле, нагреваясь, он будет нагревать и соседей, а те тоже начнут открываться и греться больше. Неравномерность вряд ли будет такой, что в разы будет отличаться ток. Разве что на очень больших напряжениях DS, когда на затворе напряжение близкое к порогу открытия.
+
avatar
  • Serious
  • 13 апреля 2024, 18:18
0
Это с чего вдруг? Везде заявлена максимальная рассеиваемая мощность 280-300 Вт, ладно, понимаем что это предел, опускаемся до 140-180 Вт, но уж никак не 65
+
avatar
  • bdos
  • 12 апреля 2024, 20:19
0
но работает на 160
+
avatar
+2
он деградирует на 160. ну представьте, что у вас будет кз при разрядке какой-то литиевой батареи
+
avatar
  • vlo
  • 13 апреля 2024, 01:55
0
выгорят токоизмерительные шунты.
возможно в этом и заключается смысл их использования вместо куска константана. хотя может и просто сэкономили.
+
avatar
0
выгорят токоизмерительные шунты
но не сразу. Могут сначала случиться спецэффекты у подключенной батареи)
+
avatar
  • vlo
  • 13 апреля 2024, 19:15
0
если эта батарея настолько хилая, что у нее проводники тоньше этого резистора — то она просто не создаст нужной мощности для инцидента.
+
avatar
0
причем тут проводники? Токовые шунты могут и из металла быть, а у миллиомных резисторов толстый резистивный слой для больших токов. Они далеко не сразу выгорят. А последствия кз для лития в избытке на ютубе есть) Да, не забываем, что при разрядке элемент еще и сильно греться может
+
avatar
  • vlo
  • 13 апреля 2024, 20:25
+1
притом, что именно по ним ток течет. в случае литиевого аккумулятора это обычно медная и аллюминевая ленты несравнимых с утлым резистором сечения.

толстый он для номинальных токов, а не для кз батареи.
впрочем вон выше снимок привели, на котором видно, что кристал транзистора покинул сей бренный мир, разорвав цепь.
+
avatar
+1
обычно медная и аллюминевая ленты несравнимых с утлым резистором сечения
и что? Пока он сгорит, проблема может уже случиться
кристал транзистора покинул сей бренный мир, разорвав цепь
это просто один из вариантов покидания мира)
+
avatar
  • vlo
  • 13 апреля 2024, 23:09
+1
то, что участок цепи с значительно меньшим сечением и размером греется гораздо выше. и разрывает цепь именно он. причем тут батарея — непонятно. ради эффекта для впечатлительных девиц, разве, но здесь такие не водятся.
+
avatar
+1
то, что участок цепи с значительно меньшим сечением и размером греется гораздо выше. и разрывает цепь именно он
разве мы это обсуждаем? Приведите свои оценки времени разрыва цепи при КЗ литиевой батареи на низкоомном шунте. Судя по картинке, там smd 2512 2w 10mOhm. При этом учитываем еще внутреннее сопротивление батареи
причем тут батарея — непонятно. ради эффекта для впечатлительных девиц
вполне понятно — для предупреждения пользователя не использовать нагрузку в тех режимах и возможных последствиях
+
avatar
  • vlo
  • 14 апреля 2024, 18:13
0
разве мы это обсуждаем?
мы обсуждаем что первое сгорит, предотвратив опасное развитие.
и этим первым батарее быть совершенно не с чего.
10мОм у батареи — это десятки граммов ленты большого сечения, у резистора — пленка в сотые грамма. что тут больше и раньше нагреется очевидно.

вполне понятно — для предупреждения пользователя не использовать нагрузку в тех режимах и возможных последствиях
понятно тут только изобретение ничем не обоснованных страшилок. есть тут такие любители, да.
+
avatar
  • Esculap
  • 12 апреля 2024, 21:45
+4
Полгода назад брал аналогичный DTL150. Отличия:
— в комплекте нет крокодилов
— не работает с приложениями
— экран 2,4 "
— какая-никакая фальшпанель, закрывающая частично экран и кнопки.
— дешевле.
Корпуса нет, но закрепил на поддон из прозрачного пластика — лишь бы не коротнуть нижней частью платы.
Ссылка нерабочая, товар разобрали.
Описание.
Working voltage: DC12V equipped with 12V 1A power adapter
Load voltage: DC0~150V
Load current: DC0-20A
Load power: 0-150W (maximum load capacity of 60W above 120V)

+
avatar
  • polnik
  • 13 апреля 2024, 21:11
+2
На Озон-глобал 1 793 ₽ с озон-картой.
+
avatar
+1
не работает с приложениями
Так это не аторч, а некая копия, или конкурент.
Владею такой — в плане надёжности она лучше торча (тот может и акб убить, «забыв» перестать его разряжать), и экран ярче и больше…
Портит впечатление только неудобный сброс показаний (нужно в меню заходить и выбирать этот пункт) и неинформативный экран конца теста (надпись «энд» и всё)
+
avatar
0
Если эта DTL150 будет откалибрована на 30 В, то сильно ли она будет врать по току и напряжению на низких напряжениях 1-4В?
+
avatar
  • 2222
  • 12 апреля 2024, 22:55
+2
интересно, эта штука стоит 7500 руб, которые за неё просят?
+
avatar
+2
Не щупал, но выглядит прилично и цена вменяемая за заявленный функционал.
+
avatar
  • HeXeR22
  • 13 апреля 2024, 00:11
+3
на работе помощнее, 400вт, на али видел ее около 10к ценой. Ее зачем то заказали, сами не зная что это вообще такое) А мне зашло, юзаю активно, пока себе не собрал в корпус dl24mp
+
avatar
+1
Корпус красивый получился, но вот индикация у Atorch меня всегда бесила своими сокращениями и перегруженностью дисплея лишней информацией.
+
avatar
  • setool3
  • 14 апреля 2024, 20:27
+1
Во внутрях, по идее, всё тот же oem/odm типа Kunkin и иже с ними. 3/6 шт IRFP250M на туннельном радиаторе, программные режимы CR/CV/CP, и низкие slew rate в динамическом режиме. Своих денег стоит, конечно, но морда ппц безобразная, буд-то необременённый эстетикой школьник лепил на 3д принтере с фурнитурой из ближайшего киоска.
Вот ребята неплохо поработали над внешностью:
UTL8211 тоже неплохо смотрится, если бы не придурковатая фальш-панель в области клемм с имитацией вентиляционных отверстий:
+
avatar
  • ABATAPA
  • 13 апреля 2024, 01:49
0
А чего не?..

+
avatar
  • bdos
  • 13 апреля 2024, 08:59
0
Избыточно
+
avatar
  • bdos
  • 13 апреля 2024, 11:02
0
я же покупал нагрузку для проверки БП мини-ПК, а они в соновном 120 Вт
+
avatar
0
Не может это нагрузка долговренно работать с 150 ватами, всё равно что ходить по минимуму полю. Ни с оригинальными транзисторами ни с потделками, во первых охлаждение комплектное не расчитана на отведения даже 80 ватт, во вторых корпус просто не в состоянии отвести в одиночку 150 ватт тепла не перегреваясь и деградировав, даже транзистор который рассчитан на 500 ватт
+
avatar
  • chaloc
  • 13 апреля 2024, 18:13
+1
Не знаю что там быстро деградирует, но уже пару лет периодически гружу её на максимум — пока не умерла.
Брал без куллера на Али в офф. магазине Хайденса. Обзор Кирича читал, но ничего не допиливал. Недорогая термопаста и древний кулек INTEL D34017 времен S775.
+
avatar
  • vlo
  • 13 апреля 2024, 19:13
+2
и сколько часов суммарно она отработала загруженная на максимум?
+
avatar
  • iDevilZ
  • 13 апреля 2024, 18:46
0
Нужно брать вариант с 4 транзисторами и менять штатный радиатор, он там очень слабенький, особенно на доп модулях, dl24mp на 4 модуля уже год работает без проблем, гружу на 600ватт и иногда сутками работает, температура больше 50градусов редко поднимается, с учетом того, что она в корпусе. Штатные «радиаторы» выкинул
+
avatar
  • Serious
  • 13 апреля 2024, 19:17
0
температура больше 50градусов
Температура чего?
+
avatar
  • iDevilZ
  • 14 апреля 2024, 00:19
0
Радиаторов, замерял термопарой, штатный термометр показывает непонятно что
+
avatar
  • mfiless
  • 13 апреля 2024, 18:59
+1
В 2021 году купил модуль электронной нагрузки https://aliexpress.ru/item/4000449514050.html
С экспериментами сжег кучу мосфетов и шунтов. В итоге сделал водяное охлаждение и теперь длительно держит 800+ Ватт. По габаритам вышло меньше, чем заводская нагрузка EBD-B10H.
Небольшой обзор здесь. www.youtube.com/watch?v=gG8pqajzX_s&t=11s
+
avatar
0
а управлять как? резистором? и внешний измеритель?
+
avatar
  • mfiless
  • 14 апреля 2024, 17:43
0
Да. Один разъем под переменный резистор и один для подачи питания в схему. Внешний измеритель любой.
Я использовал такой https://aliexpress.ru/item/32702737018.html
Здесь фантазия ничем не ограничена.
+
avatar
  • kukan2
  • 13 апреля 2024, 21:35
0
Можно ли такой нагрузкой заменить тандем Тестер Fnirsi и нагрузка?
Другими словами есть ли там байпасс режим с просто функцией измерения?
+
avatar
  • bdos
  • 13 апреля 2024, 22:43
0
нет
+
avatar
  • REUTOV
  • 17 апреля 2024, 22:16
0
Брал плату 150 Вт с кулером исключительно по причине «доставка из России»;
для информации:
мощность 150 Вт ограничена ПРОГРАММНО, в первую очередь из-за примененного пропеллера. Ее можно изменить через настройки в меню;
на том же сайте лежит плата без кулера, с заявленной мощностью 1000 Вт;
после замены кулера на TDP130 проверил под нагрузкой 480 Вт (12В, 40А) — больше старенький GZV4000 не выдает;
температура на тепловых трубках в районе 65* — нагрелось быстро, держалась стабильно 20 мин. Дольше проверять не стал — надоело…


для проверки блоков питания типа АТХ необходимо использовать балансировку нагрузки в виде пары автомобильных лампочек на линии +5 или +12 В. в 99% случаев у них общий стабилизатор. Если стабилизация берется с линии +12, то лампочки нужно цеплять на +5, и наоборот…
+
avatar
  • deemon1
  • 26 апреля 2024, 13:40
0
Совет всем новичкам, меняйте сразу хилый мосфет на — IXFB100N50P (50V 100A), и кулер желательно с медяхой по центру либо башня…

Только зарегистрированные и авторизованные пользователи могут оставлять комментарии.