Обзоры NPN-транзисторов
Npn-транзистор — биполярный полупроводниковый прибор. Состоит из трех слоев: эмиттера, базы и коллектора. Эмиттер и коллектор — полупроводниковые слои n-типа с электронной проводимостью, база — p-типа с дырочной проводимостью. Коллектор, базу, эмиттер изготавливаются из кремния, который легируют (добавляют примеси) для придания нужного типа проводимости. Каждый слой соединен с одноименным электродом.
Сигнал, проходящий через базу транзистора, управляет коллекторным током. В широком диапазоне зависимость коллекторного потока носителей заряда от базового линейная. Направление движения дырок и электронов зависит от типа полупроводника. В npn-транзисторах управляющий ток идет от базы (полупроводника p-типа) к эмиттеру (полупроводнику n-типа), нагрузочный ток течет от коллектора к эмиттеру.
Выпускаются маломощные npn-транзисторы, максимальный коллекторный ток которых ограничивается 200-300 mA, и мощные, у них этот параметр доходит до 3-5 A. Мощные транзисторы обычно устанавливают на радиаторы, которые помогают избавиться от перегрева в процессе работы. Npn-транзистор можно считать одним из самых распространенных элементов радиоаппаратуры: усилителей, регуляторов, коммутаторов.